Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания

Исследована люминесценция слоев CdTe с номинальной толщиной 1, 2, 4 и 8 монослоев (MC), выращенных методом атомного наслаивания в матрице ZnTe. Показано, что слои толщиной 1 и 2 МС проявляют свойства однородных слоев, в то время как слои с толщиной 4 и 8 МС являются планарными массивами квантовых точек (КТ). Размеры КТ и их размерная дисперсия возрастают при увеличении номинальной толщины слоя CdTe. Форма спектров возбуждения люминесценции слоя CdTe в этих образцах сильно различается. Показано, что в зависимости от энергетического расстояния между экситонными уровнями слоев CdTe и матрицы ZnTe сильно изменяется соотношение вкладов в перенос энергии экситона ZnTe и носителей заряда, не связанных в экситон.