Наноструктуры AlN и GaN: аналитические оценки характеристик электронного спектра

Для бесконечных плоских листов, свободных и декорированных нанолент с зигзагообразными кромками и цепочек нитридов алюминия и галлия получены аналитические выражения для ширин запрещенных зон, характерных скоростей и эффективных масс носителей заряда. Полученные значения сравниваются с вычисленными в рамках тех же моделей характеристиками для наноструктур карбида кремния и углерода. Кратко обсуждается также роль подложки.