Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами

Изучены особенности резистивного переключения в экспериментальных образцах мемристоров на основе тонких пленок стабилизированного иттрием диоксида циркония треугольными импульсами, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено уменьшение значений напряжения переключения мемристора из низкоомного состояния в высокоомное и обратно, а также увеличение отношения значений силы тока через мемристор в указанных состояниях и долговременной стабильности тока при наложении синусоидального сигнала на переключающие импульсы по сравнению с переключениями треугольными импульсами без синусоидального сигнала. Улучшение характеристик резистивного переключения связано с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле.