RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 3, страницы 373–380 (Mi ftt8465)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As

Б. Н. Звонковa, О. В. Вихроваa, Ю. А. Даниловa, М. В. Дорохинa, И. Л. Калентьеваa, А. В. Кудринa, А. В. Здоровейщевa, Е. А. Ларионоваa, В. А. Ковальскийb, О. А. Солтановичb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Аннотация: Изготовлены и исследованы диодные гетероструктуры $p$-(Ga, Mn)As/$n$-InGaAs/$n^{+}$-GaAs, отличающиеся толщиной (от 5 до 50 nm) слоя разбавленного магнитного полупроводника (Ga, Mn)As. Обнаружен эффект отрицательного магнетосопротивления, достигающий 6–8% в магнитном поле 3600 Oe, сохраняющийся до температур 70–80 K и связанный с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря магнитному упорядочению в слое (Ga, Mn)As. Зависимость магнетосопротивления от напряжения прямого смещения является немонотонной, причем максимум магнетосопротивления и диапазон напряжений его наблюдения зависят от толщины слоя (Ga, Mn)As. Магнитополевые зависимости магнетосопротивления имеют гистерезисный вид, обусловленный влиянием напряжений растяжения в выращенном поверх релаксированного InGaAs слое (Ga, Mn)As на появление компоненты намагниченности, перпендикулярной поверхности структуры.

Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, диодная гетероструктура, ферромагнитный полупроводник, отрицательное магнетосопротивление.

Поступила в редакцию: 31.10.2019
Исправленный вариант: 31.10.2019
Принята в печать: 31.10.2019

DOI: 10.21883/FTT.2020.03.48999.619


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2020, 62:3, 423–430

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024