RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 2, страницы 214–221 (Mi ftt8487)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводники

Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения

М. Ф. Ступакab, Н. Н. Михайловbc, С. А. Дворецкийc, М. В. Якушевc, Д. Г. Икусовc, С. Н. Макаровa, А. Г. Елесинa, А. Г. Верхоглядa

a Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и подложек GaAs, при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013) GaAs и буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs выявлено, что отклонения от ориентации поверхности (013) по кристаллофизическим углам $\Theta$ и $\phi$ составили 1–3$^\circ$ у подложек GaAs и до 8$^\circ$ у буферных слоев CdTe|ZnTe|GaAs, причем величину сигнала второй гармоники от буферных слоев можно считать обратно пропорциональной ширине рентгеновских кривых качания на половине максимума.
На основе экспериментальных данных показано, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости $\chi_{xyz}(\omega)$ кристаллической структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.

Ключевые слова: нецентросимметричные кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, подложки GaAs, структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te.

Поступила в редакцию: 25.09.2019
Исправленный вариант: 03.10.2019
Принята в печать: 08.10.2019

DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48870.601


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2020, 62:2, 252–259

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024