RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 2, страницы 223–228 (Mi ftt8489)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Диэлектрики

Диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO$_{2}$ на Al в THz-IR-диапазоне

Г. А. Командин, В. С. Ноздрин, А. А. Пронин, О. Е. Породинков, В. Б. Анзин, И. Е. Спектор

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Создание новых диэлектрических материалов для изолирующих слоев межсоединений с низкими потерями на высоких частотах (low-$k$) является одним из магистральных направлений современной микроэлектроники. В настоящее время проводятся исследования различных модификаций стандартных для современных интегральных схем диэлектрических структур на основе SiO$_{2}$, различающихся по составу и морфологическим характеристикам. В данной работе методами терагерцовой (THz) и IR-спектроскопии изучаются диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO$_{2}$ на Al-подложке. Обнаружены существенные отличия спектров таких структур по сравнению с объемными образцами плавленого кварца, в том числе резонансные моды Берримана.

Ключевые слова: диэлектрическая спектроскопия, терагерцовый диапазон, спектрометр с временным разрешением, диэлектрические потери.

Поступила в редакцию: 16.09.2019
Исправленный вариант: 16.09.2019
Принята в печать: 16.09.2019

DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48871.584


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2020, 62:2, 267–272

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024