Влияние магнитных частиц Co-CoO на свойства электропереноса в однослойном графене

Электрохимическое осаждение кобальта на однослойный CVD-графен приводит к формированию композиционных структур Co-CoO/графен, что вызывает увеличение электросопротивления и магнетосопротивления. Показано, что магнеторезистивный эффект обусловлен двумя конкурирующими вкладами – отрицательным (ОМР) и положительным (ПМР). ОМР в малых магнитных полях описывается локализационной квантовой поправкой к проводимости Друде в графене. Усиление ПМР в сильных магнитных полях связывается с влиянием лоренцевого механизма в частицах Co-CoO.