М. Д. Павлюк, Е. А. Суханова, М. П. Зыкова, И. С. Волчков, В. М. Каневский, И. А. Субботин, К. М. Подурец, Б. Ф. Павлюк, Ю. М. Иванов, “Математическое моделирование процесса выращивания монокристалла CdTe методом Обреимова–Шубникова”, Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 1,страницы 5

Эта публикация цитируется в 1 статье

Международная конференция "Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок", посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Полупроводники

Математическое моделирование процесса выращивания монокристалла CdTe методом Обреимова–Шубникова

М. Д. Павлюк^a, Е. А. Суханова^b, М. П. Зыкова^b, И. С. Волчков^a, В. М. Каневский^a, И. А. Субботин^c, К. М. Подурец^c, Б. Ф. Павлюк^d, Ю. М. Иванов^e

^a ИК РАН, ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
^b Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева
^c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^d Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов, г. Москва
^e Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН

Аннотация: Впервые выполнено моделирование ростового процесса кристалла CdTe модифицированным методом Обреимова–Шубникова с применением техники самозатравления от начальной температуры охлаждения (1100$^\circ$C) до момента выхода на режим стационарного роста. Рассчитано движение фронта кристаллизации в процессе роста кристалла. Результаты подтверждены методом рентгеновской топографии с использованием синхротронного излучения.

Ключевые слова: CdTe, фронт кристаллизации, термоконвективные потоки.

Поступила в редакцию: 16.07.2019
Исправленный вариант: 16.07.2019
Принята в печать: 25.07.2019

DOI: 10.21883/FTT.2020.01.48722.24ks