О фотоиндуцированной гетероструктуре в пленке двуокиси ванадия

Теоретически исследован нетепловой фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник–металл, протекающий за время $\Delta t<1$ ps в пленке двуокиси ванадия на алюминиевой подложке. Показано, что под действием короткого лазерного импульса в пленке VO$_{2}$ образуется структура из металлических и полупроводниковых слоев, параллельных подложке. Получена зависимость толщины слоев от плотности энергии $W$ лазерного импульса. Построена диаграмма, определяющая число слоев в зависимости от плотности энергии $W$ лазерного импульса и толщины $a$ пленки. Проведено сравнение с экспериментальными данными.