Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом

Приведен обзор результатов роста объемных кристаллов нитридов Al и Ga на инородных затравках сублимационным сандвич-методом. Анализируется кинетика и механизм сублимации и конденсации в зависимости от условий роста, состава паровой фазы, ориентации кристалла и расстояния между источником и затравкой. Экспериментально установлено, что при совместном отжиге AlN с SiC скорость сублимации AlN существенно возрастает за счет образования жидкой фазы на поверхности кристалла. Неоднородное распределение жидкой фазы, локализованной преимущественно вблизи структурных и морфологических дефектов, приводит к селективному характеру травления поверхности и является причиной ухудшения качества растущего кристалла. Реализован процесс роста объемных кристаллов AlN с одновременным испарением затравки, позволяющий получить кристаллы без трещин и с улучшенными параметрами. На затравках SiC выращены объемные кристаллы AlN и GaN до 2 дюймов в диаметре.