А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 12,страницы 2313

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Полупроводники

Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов

А. С. Гращенко^a, С. А. Кукушкин^ab, А. В. Осипов^c

^a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Исследованы упругие свойства наномасштабной пленки карбида кремния, выращенной на кремниевой подложке методом замещения атомов. Впервые методом наноиндентирования измерен модуль Юнга наномасштабного карбида кремния. Методами оптической профилометрии и спектральной эллипсометрии исследованы структурные характеристики пленки карбида кремния на кремнии, а именно, рассчитана шероховатость пленки и ее толщина.

Ключевые слова: наноиндентирование, атомное замещение, карбид кремния, карбид кремния на кремнии, модуль Юнга.

Поступила в редакцию: 16.07.2019
Исправленный вариант: 16.07.2019
Принята в печать: 25.07.2019

DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48590.33ks