Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г. Сегнетоэлектричество
Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия
Аннотация:
Исследуются диэлектрические и полярные свойства тонких пленок нитрида алюминия (AlN), эпитаксиально выращенных на различно ориентированных кремниевых подложках $p$-типа проводимости с буферным подслоем карбида кремния (SiC), а также на вицинальных плоскостях. По результатам исследований полярных свойств двумя независимыми методами – динамического пироэффекта и силовой микроскопии пьезоотклика, показано, что использование буферного слоя SiC существенно улучшает полярные свойства тонких слоев нитрида алюминия.