Влияние химического состава кристаллов TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний

В полученных кристаллах TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) изучены частотные зависимости действительной $(\varepsilon)$' и мнимой $(\varepsilon)$" составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь $(\operatorname{tg}\delta)$ и ac-проводимости $(\sigma_{\operatorname{ac}})$ в области частот $f$ = 5 $\cdot$ 10$^{4}$ - 3.5 $\cdot$ 10$^{7}$ Hz. Установлено, что в TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ имеет место релаксационная дисперсия $\varepsilon$' и $\varepsilon$". Изучено влияние концентрации эрбия (Er) в кристаллах TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость кристаллов TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ подчинялась закономерности $\sigma_{\operatorname{ac}}\sim f^{0.8}$, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ состояний, а также влияние химического состава кристаллов на эти параметры.