Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н$^{+}$-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии

Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100+200+300 keV, с общей дозой 2 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200 до 1100$^\circ$С.