Незаполненные электронные состояния ультратонких пленок дифенилфталида на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита

Приведены результаты диагностики атомного состава термически осажденной в вакууме пленки дифенилфталида (DPP) методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний ультратонких пленок DPP толщиной до 10 nm на поверхности высокоупорядоченного пиролитического графита (HOPG) методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше $E_{\mathrm{F}}$. В этом диапазоне установлены основные максимумы в спектрах полного тока. Анализ TCS результатов с учетом результатов теоретических расчетов показал, что низкоэнергетические максимумы, наблюдаемые при энергиях 6 и 7.5 eV, образованы преимущественно $\pi^{*}$ электронными орбиталями пленок DPP. Экспериментально установленные значения энергии E$_{\mathrm{vac}}$ относительно $E_{\mathrm{F}}$, то есть электронной работы выхода пленок DPP при толщине пленки 5–10 nm, составляют 4.3 $\pm$ 0.1 eV. Формированию пограничного барьера HOPG/DPP в процессе термического осаждения пленки DPP соответствует перенос отрицательного заряда из органической пленки в подложку.