RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 8, страницы 1463–1469 (Mi ftt8725)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Магнетизм

Магнитная анизотропия и сверхвысокочувствительный стресс-магнитоимпеданс в микропроводах с положительной магнитострикцией

М. Г. Неъматовab, Л. В. Панинаac, А. Джумъазодаab, Н. А. Юдановa, А. Т. Морченкоa, М. А. Джураевa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Таджикский технический университет имени академика М. С. Осими, Душанбе, Таджикистан
c Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Москва, Россия

Аннотация: В аморфных ферромагнитных микропроводах состава Co$_{71}$Fe$_{5}$B$_{11}$Si$_{10}$Cr$_{3}$ в стеклянной оболочке, подвергнутых токовому отжигу, достигнуто рекордное значение чувствительности магнитоимпедаса (МИ) к механическим нагрузкам (стресс-МИ) до 100% на 100 MPa в отсутствие дополнительных магнитных полей смещения. Процесс токового отжига, сочетающий действие джоулевого нагрева и циркулярного магнитного поля, приводит к индуцированию специфической магнитной анизотропии геликоидального/циркулярного типа и, таким образом, позволяет управлять поведением МИ и стресс-МИ, делая провода более подходящими для применения в сенсорных устройствах. В результате изменения направления легкой оси анизотропии внешние механические напряжения приводят к изменению направления статической намагниченности, что и обусловливает увеличение чувствительности стресс-МИ.

Ключевые слова: аморфный микропровод, наведенная анизотропия, токовый отжиг, процессы намагничивания, стресс-магнитоимпеданс (S-MI).

Поступила в редакцию: 20.02.2019
Исправленный вариант: 26.03.2019
Принята в печать: 26.03.2019

DOI: 10.21883/FTT.2019.08.47970.389


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2019, 61:8, 1409–1415

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024