RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 8, страницы 1474–1479 (Mi ftt8727)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Сегнетоэлектричество

Влияние глубины переохлаждения на релаксацию доменной структуры триглицинсульфата

О. Ю. Мазур, Л. И. Стефанович

Институт физики горных процессов НАН Украины, Днепр-5, Украина

Аннотация: Рассмотрен процесс формирования и эволюции доменной структуры в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) после быстрого охлаждения в окрестности точки Кюри $T_{C}$. Получено аналитическое выражение для временной зависимости характерного среднего размера домена, которое позволяет проследить процесс укрупнения доменной структуры на всех стадиях ее релаксации к состоянию термодинамического равновесия. Показано, что средний размер домена растет по закону квадратного корня, что хорошо согласуется с известными экспериментальными данными. Установлено, что скорость роста доменной структуры зависит от глубины переохлаждения образца. Полученная в работе зависимость характерного среднего размера домена от времени позволяет определить радиус межмолекулярного взаимодействия исследуемых кристаллов.

Ключевые слова: быстрозакаленная сегнетоэлектрическая система, глубина переохлаждения, эврлюция доменной структуры, релаксация, триглицинсульфат.

Поступила в редакцию: 11.03.2019
Исправленный вариант: 11.03.2019
Принята в печать: 02.04.2019

DOI: 10.21883/FTT.2019.08.47972.412


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2019, 61:8, 1420–1424

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024