Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия с графена на иридии, интеркалированного и не интеркалированого цезием

Исследованы процессы электронно-стимулированной десорбции нейтральных атомов цезия с графена на иридии в случае, когда происходит интеркаляция слоя графена цезием, и в случае, когда она отсутствует. Найдено, что в распределениях по кинетическим энергиям десорбирующихся нейтральных атомов цезия присутствуют два пика: высокоэнергетический при энергии 0.36 eV и низкоэнергетический при энергии 0.13 eV. Высокоэнергетический пик наблюдается в обоих случаях и связан с возбуждением остовного уровня 2$s$ углерода. Низкоэнергетический пик наблюдается только в случае отсутствия интеркаляции и связан с возбуждением остовных уровней 4$f$ и 5$p$ иридия. Предложена модель, описывающая процессы электронно-стимулированной десорбции атомов цезия с поверхности графена на иридии, и сделан вывод, что графен на иридии в этих процессах ведет себя как диэлектрик.