Влияние циклической нагрузки на величину областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения в кристаллических образцах

Обнаружено влияние циклической нагрузки на величину областей когерентного рассеяния (ОКР) рентгеновского излучения и микронапряжений II рода в различных кристаллических материалах: полупроводниковых (сульфид самария) и металлических (сталь, дюралюминий). Нагружение осуществлялось путем сжатия образцов различными способами: всестороннее, одноосное, сжатие при изгибе. Показано, что при увеличении количества циклов сжатия величины ОКР во всех случаях уменьшаются, а микронапряжения увеличиваются. Эти величины могут служить параметрами для оценки степени механической усталости материала.