Микрокристаллическая структура и светоизлучающие свойства 3$C$-SiC островковых пленок, выращиваемых на поверхности Si(100)

Изучаются особенности кристаллической структуры и светоизлучающие свойства островковых 3$C$-SiC пленок, выращиваемых при пониженных температурах на поверхности Si(100) методом вакуумной химической эпитаксии с использованием водородсодержащих соединений. Методами микроскопии прослеживается характер зарождения, механизмы роста нанокристаллической текстуры микроостровков, а также влияние на форму зарождающихся островков упругих напряжений, накапливаемых на поверхности растущей карбидной пленки. Проведено сопоставление спектров катодолюминесценции от поверхностного карбидизированного слоя Si и от различных участков отдельного 3$C$-SiC островка. Обсуждаются возможные механизмы появления в наблюдаемых спектрах эпитаксиальных структур дополнительных спектральных линий, сдвинутых относительно основного пика в красную и ультрафиолетовую области спектрального диапазона. Ранее эти полосы излучения обнаруживались только в спектрах люминесценции SiC нанокристаллитов, встраиваемых в различные (чаще всего SiO$_{2}$) матрицы. Сопоставительный анализ поведения линий в наблюдаемых люминесцентных спектрах не показал заметного влияния размеров формируемых поверхностных нанокристаллитов на их положение, но продемонстрировал их явную зависимость от содержания кислорода на границе между 3$C$-SiС слоем и кремниевой подложкой.