Углеродные наноструктуры на полупроводниковой подложке

Для простых моделей углеродных наноструктур (латеральной гетероструктуры графен – нитрид бора, декорированных зигзагообразных кромок полубесконечного графена и графеновой наноленты, декорированного карбина) получены аналитические выражения для плотностей состояний и чисел заполнения. Основное внимание уделено режиму сильной связи наноструктур с полупроводниковой подложкой. Численные оценки приведены для SiC-подложки.