Локализация носителей в квантовых точках с одноосной анизотропией формы и состава

Представлены результаты теоретического исследования электронных и дырочных состояний в квантовых точках (КТ) на основе кубических полупроводников II–VI сфероидальной формы, характеризующихся одноосной анизотропией. Рассмотрены гладкие потенциальные энергетические профили, моделируемые функцией Гаусса во всех трех пространственных направлениях. Проанализировано понижение уровня энергии, а также расщепление по энергии четырехкратно вырожденного состояния дырок из вершины валентной зоны $\Gamma_{8}$ с моментом 3/2 на состояния с проекциями $\pm$3/2, $\pm$1/2 на ось анизотропии. Рассмотрена анизотропия КТ трех видов: анизотропия размера КТ, анизтропия потенциального барьера КТ и комбинированная анизотропия. В первом случае рассмотрены сплюснутые квантовые точки, характерный размер которых в плоскости структуры больше чем размер вдоль оси анизотропии. Во втором случае рассмотрены КТ, в которых высота потенциального барьера в плоскости меньше, чем высота потенциального барьера вдоль оси анизотропии. В третьем случае рассмотрены сплюснутые квантовые точки с анизотропией как размера так и потенциального барьера. Установлены условия локализакции носителей заряда внутри КТ и обсуждаются влияние анизотропии формы и состава на энергии экситонных переходов структур с квантовыми точками Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$Se.