О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом

Приведены результаты исследований спектральных, температурных и полевых зависимостей экваториального эффекта Керра в слоях Ga$_{1-x}$Mn$_{x}$As ($x$ = 0.0066–0.033), полученных ионной имплантацией и последующим импульсным лазерным отжигом. Сложный немонотонный характер температурных зависимостей экваториального эффекта Керра и его зависимость от диапазона измерений свидетельствуют о магнитной неоднородности слоев. Причинами неоднородности могут быть гауссово распределение Mn по толщине слоев и электронное фазовое разделение в них. Появление новых особенностей в спектрах экваториального эффекта Керра объяснено наличием в легированной полупроводниковой матрице нанообластей с более высокой концентрацией носителей, с большей температурой Кюри и смещением уровня Ферми вглубь валентной зоны, приводящим к увеличению энергии оптических переходов.