Экситонное излучение гетероструктур CdTe/ZnTe с двойными ультратонкими узкозонными слоями

Исследованы спектры экситонной люминесценции гетероструктур CdTe/ZnTe, содержащих два тонких слоя CdTe, разделенных барьерами различной толщины. Сложная температурная зависимость интенсивности люминесценции из этих слоев при подбарьерном и надбарьерном способах ее возбуждения позволяет сделать выводы о влиянии толщины барьеров на перенос энергии между слоями CdTe и наблюдать при определенных значениях температуры реализацию возбуждения резонансного типа. Зависимость формы контуров экситонного излучения от уровня возбуждения дает сведения о реальной структуре слоев CdTe толщиной 1.5 и 4.0 монослоя.