К теории электронных состояний эпитаксиального бислоя графена

Исследован энергетический спектр эпитаксиального бислоя графена. Рассмотрен наиболее общий случай произвольного нарушения $P$-симметрии внутри слоев и между слоями. Исследовано влияние напряжения на затворе на энергетический спектр. Показано, что картина такого влияния существенно зависит от соотношения между запрещенными зонами, соответствующими различным слоям. При некотором значении кулоновского потенциала, вызванного переходом заряда из подложки происходит схлопывание запрещенной зоны. Эти исследования проведены для двух типов упаковок слоев в бислое: $AB$ и $AA$.