Метод расчета критического тока неоднородных сверхпроводящих пленок

Предложен метод расчета критического тока неоднородной сверхпроводящей пленки (пластины) при различных значениях внешнего магнитного поля. Изменение сверхпроводящих свойств задается путем варьирования значений длины когерентности и лондоновской глубины проникновения по толщине. При этом длина когерентности максимальна в центре пластины и убывает при приближении к ее границам, а лондоновская глубина, наоборот, достигает минимума в центре пластины и возрастает при приближении к ее границам. В рамках предложенного подхода проведены расчеты и сравнение зависимостей критического тока от внешнего магнитного поля для двух случаев: неоднородного и однородного распределений сверхпроводящих свойств по толщине пленки. Установлено, что при неоднородном распределении сверхпроводящих свойств значения критического тока пластины больше, чем при однородном случае при таких же значениях внешнего магнитного поля. Это связано с тем, что параметр порядка перераспределяется в неоднородной пластине по толщине таким образом, что сверхпроводящее состояние становится более устойчивым к влиянию тока и магнитного поля. Показано, что безвихревое мейснеровское состояние в неоднородных пленках сохраняется при более высоких полях по сравнению с однородными пленками. При этом, чем больше неоднородность пленки, тем мейснеровское состояние устойчивее к влиянию внешнего магнитного поля.