Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца

На основе анализа магнитополевых и температурных зависимостей, гальваномагнитных эффектов и намагниченности проведено исследование характерных проявлений магнитного упорядочения и проводимости в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой GaAs : Be/Ga$_{0.84}$In$_{0.16}$As/GaAs и $\delta$-слоями марганца различной толщины (0.4–2 монослоя). Наблюдалась аномальная зависимость проводимости от концентрации атомов марганца в $\delta$-слое, обусловленная сильным рассеянием носителей заряда в структурах с низким содержанием магнитных примесей. Магнитные свойства гетероструктур содержали прямые свидетельства магнитного упорядочения примесной системы (насыщение и гистерезис намагниченности, проявление закона Кюри–Вейса при повышении температуры). Параметры магнитной подсистемы позволили выявить различный характер упорядочения систем с разной концентрацией магнитной примеси. Было показано, что изменение концентрации примеси Mn в $\delta$-слое существенно влияет на проводящие свойства и магнетизм исследуемых структур.