Влияние локальных корреляций на переход “однородный изолятор–сверхпроводник” в доменных границах фазы зарядового порядка 2D-системы со смешанной валентностью

В рамках (псевдо)спинового $S$ = 1 формализма показано, что структура антифазных доменных границ в фазе зарядового упорядочения системы со смешанной валентностью типа триплета" Cu$^{1+,2+,3+}$ в купратах на двумерной квадратной решетке существенно зависит от параметра одноцентровых корреляций $U$. Компьютерное моделирование на больших квадратных решетках иллюстрирует изменение структуры границ от однородной моновалентной непроводящей типа Cu$^{2+}$ до нитевидной сверхпроводящей при относительно небольшом изменении положительных значений $U$.