Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 11,страницы 2141

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 12-15 марта 2018 г.
Полупроводники

Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий

Е. И. Малышева^a, М. В. Дорохин^a, Ю. А. Данилов^a, А. Е. Парафин^b, М. В. Ведь^a, А. В. Кудрин^a, А. В. Здоровейщев^a

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики микроструктур РАН, филиал ФИЦ ИПФ РАН, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащие ферромагнитные слои (Ga,Mn)As. Для повышения рабочей температуры спинового светоизлучающего диода поверхность структур перед нанесением металлических омических контактов подвергалась импульсному лазерному отжигу. Во внешнем магнитном поле сформированные диоды испускают циркулярно-поляризованное электролюминесцентное излучение. Получено повышение температуры регистрации циркулярно-поляризованной люминесценции с 30 K для исходной структуры до 110 K для структуры, подвергнутой лазерному отжигу. Полученный эффект связывается с повышением температуры Кюри (Ga,Mn)As в результате лазерного воздействия.

DOI: 10.21883/FTT.2018.11.46654.10NN