RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 11, страницы 2147–2151 (Mi ftt9008)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 12-15 марта 2018 г.
Полупроводники

Влияние плотности энергии лазерного пучка на магнитные свойства тонких пленок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.5), приготовленных методом импульсного лазерного осаждения

А. Б. Дровосековa, А. О. Савицкийab, Н. М. Крейнесa, В. В. Рыльковcd, С. Н. Николаевc, К. Ю. Черноглазовc, А. Н. Талденковc, Е. А. Черебылоe, В. А. Михалевскийe, О. А. Новодворскийe, К. И. Маслаковf, P. Pandeyg, Sh. Zhoug

a Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
d Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
e Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
f Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
g Helmholtz-Zentrum Dresden–Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Dresden, Germany

Аннотация: Изучено влияние энергии лазерного импульса $E$ на возможность формирования однородной “высокотемпературной” ферромагнитной фазы в пленках сплава Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.5), выращенных методом импульсного лазерного осаждения на подложке Al$_{2}$O$_{3}$ (0001). Показано, что высокотемпературная фаза с концентрацией марганца $x\approx$ 0.53 и температурой Кюри $T_C\approx$ 200–300 K образуется вблизи подложки на начальной стадии роста пленок. При этом, большие величины $E\ge$ 6.8 J/cm$^{2}$ способствуют стабилизации этой фазы по всей толщине пленки, в то время как малые значения $E$ = 2.6-5.7 J/cm$^{2}$ приводят к уменьшению концентрации марганца в верхнем слое пленки и формированию дополнительной “низкотемпературной” фазы с $T_C\approx$ 30–50 K, обусловленной кристаллитами силицидов MnSi и Mn$_{4}$Si$_{7}$.

DOI: 10.21883/FTT.2018.11.46655.21NN


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2018, 60:11, 2188–2193

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024