Аннотация:
При ${T=2}$ K исследованы спектры фотолюминесценции и отражения в области края собственного поглощения кристаллов твердого раствора ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ во всем интервале составов. Экситонная линия в спектрах отражения наблюдается только для образцов с содержанием Те ${x\leqslant 2}$% и $x\gtrsim40$%. Установлено, что для составов ${1<x<60}$% излучательная рекомбинация полностью определяется экситонами, локализованными на флуктуациях состава. Характер локализации экситонов флуктуациями состава существенно меняется при изменении содержания Те. При малых концентрациях (${x<2}$%) в спектре проявляются мелкие квазидискретные состояния, соответствующие локализации экситонов на кластерах из нескольких атомов Те. Для составов с ${x>2}$% наблюдается широкая полоса люминесценции, свидетельствующая о тесной пространственной локализации возбуждений. Дальнейшее увеличение содержания Те (${x>30}$%) сопровождается сужением полосы люминесценции. Локализация экситонов в этом случае осуществляется крупномасштабными флуктуациями состава. В спектрах люминесценции образцов с ${x>60}$% наряду с локализацией экситонов начинает проявляться миграция энергии.