Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия

С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Структурные параметры объемного кристалла с симметрией $\beta$-политипа определены с учетом ван-дер-ваальсовых взаимодействий и согласуются с экспериментальными данными для поликристаллических пленок в пределах 2%. Получены оценки положения экстремумов верхней валентной зоны и нижней зоны проводимости относительно уровня вакуума для объемного $\beta$-GaTe и для ультратонких пластин с числом элементарных слоев от 1 до 10, что соответствует диапазону толщины 0.5–8 nm. Расчеты показывают, что гексагональный GaTe является непрямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны, варьирующейся от 0.8 eV в объемном материале до 2.3 eV в монослое.