RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 8, страницы 1542–1555 (Mi ftt9103)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Международная школа-семинар ''Экситоны в кристаллах и полупроводниковых наноструктурах'', посвященная 120-летию со дня рождения Е. Ф. Гросса, Санкт-Петербург 10-12 октября 2017 года
Полупроводники

Рекомбинация и спиновая динамика экситонов в непрямозонных квантовых ямах и квантовых точках

Т. С. Шамирзаевab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург

Аннотация: Pассматривается поведение экситонов в гетероструктурах с непрямозонными квантовыми ямами GaAs/AlAs и квантовыми точками (In, Al)As/AlAs. Продемонстрированы возможности: управляемого изменения времени излучательной рекомбинации экситона в диапазоне от нескольких десятков наносекунд до десятков микросекунд; экспериментального исследования спиновой динамики долгоживущих локализованных экситонов; использования резонансных оптических методов для возбуждения непрямозонных экситонных состояний.

DOI: 10.21883/FTT.2018.08.46240.08Gr


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2018, 60:8, 1554–1567

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024