Г. С. Димитриев, И. В. Крайнов, В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, J. Debus, E. Lähderanta, “Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn”, Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 8,страницы 1556

Эта публикация цитируется в 1 статье

Международная школа-семинар ''Экситоны в кристаллах и полупроводниковых наноструктурах'', посвященная 120-летию со дня рождения Е. Ф. Гросса, Санкт-Петербург 10-12 октября 2017 года
Полупроводники

Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn

Г. С. Димитриев^a, И. В. Крайнов^ab, В. Ф. Сапега^a, Н. С. Аверкиев^a, J. Debus^c, E. Lähderanta^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
^c Experimentelle Physik II, Universität Dortmund

Аннотация: Исследована энергетическая структура акцептора марганца, состоящего из иона Mn$^{2+}$ и валентной дырки, при наличии внешнего магнитного поля и одноосной деформации. Исследованы спектры непругого рассеяния света с переворотом спина при резонансном возбуждении экситона, связанного на акцепторе Mn. Измерены $g$-факторы основного $F$ = 1 и первого возбужденного $F$ = 2 состояний, описаны правила оптических переходов между состояниями акцептора. Определена величина случайного поля (деформации или электрического поля), действующего на акцептор марганца, и деформационный потенциал для константы обменного взаимодействия комплекса Mn$^{2+}$ + дыркa. Развита теоретическая модель, учитывающая влияние случайного поля деформации, внешней одноосной деформации и магнитного поля. Предложенная модель хорошо описывает линии неупругого рассеяния света с переворотом спина акцептора Mn.

DOI: 10.21883/FTT.2018.08.46242.22Gr