Аннотация:
В поперечном квантующем магнитном поле анизотропия термоэдс полупроводникового сплава $p$ - Bi$_{0.865}$Sb$_{0.135}$ связана с большой анизотропией спектра легких дырок в $L_{s}$-зоне и сильно зависит от напряженности поля и температуры, изменяясь от 0.8 до 4. На полевых зависимостях термоэдс перед переходом к ультраквантовому пределу имеется минимум, который объясняется при учете спинового расщепления зон Ландау. При низких температурах ($T < 10$ К) в ультраквантовом пределе большой вклад в полную термоэдс дает фононное увлечение, величина которого также зависит ют направления магнитного поля.