RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 5, страницы 880–887 (Mi ftt9192)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Частотная зависимость угла диэлектрических потерь в неупорядоченных полупроводниках в терагерцовой области частот

М. А. Ормонт, И. П. Звягин

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Особенности частотной зависимости вещественной части проводимости $\sigma_1(\omega)$ в области перехода от почти линейной $(s<1)$ к квадратичной $(s\approx2)$ могут служить указанием на изменение режима проводимости (переход от переменной к постоянной длине прыжка с ростом частоты); при этом резкость изменения наклона частотной характеристики связана с зависимостью предэкспоненциального множителя резонансного интеграла от межцентрового расстояния в паре. Частотная зависимость мнимой части проводимости $\sigma_{2}(\omega)$ не имеет особенностей в окрестности частоты перехода $\omega_{\operatorname{cr}}$, оставаясь почти линейной. Большая величина котангенса угла диэлектрических потерь $|\operatorname{ctg}\gamma|=|\sigma_2|/\sigma_1$ может указывать на то, что при $\omega<\omega_{\operatorname{cr}}$ в области слабого изменения угла потерь $\gamma(\omega)$ мнимая часть проводимости определяется большим бесфононным вкладом $\sigma^{\operatorname{res}}_{2}$, который существенно превосходит релаксационный $\sigma^{\operatorname{rel}}_{2}$.

DOI: 10.21883/FTT.2018.05.45781.08D


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2018, 60:5, 882–889

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024