RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 5, страницы 888–896 (Mi ftt9193)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента

М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, В. В. Калинчук, А. Е. Казакова

Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону

Аннотация: Обсуждаются результаты выращивания тонкопленочных гетероструктур In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства тонких пленок InAlGaAsSb выращенных на подложке GaSb.

Поступила в редакцию: 29.08.2017

DOI: 10.21883/FTT.2018.05.45782.252


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2018, 60:5, 890–898

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024