Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением

Слои GaMnAs, сформированные импульсным лазерным осаждением, изучались с помощью экваториального эффекта Керра (ЭЭК), спектральной эллипсометрии, магнитометрии, а также измерений сопротивления и эффекта Холла. Установлены режимы получения магнитно неоднородных слоев, содержащих обогащенные Mn ферромагнитные области, отличающиеся составом и размерами. Слои, сформированные при температуре 300$^\circ$C, демонстрируют ферромагнитное поведение ниже 80 K, которое обусловлено присутствием в парамагнитной матрице локальных ферромагнитных областей (Ga, Mn)As. Обсуждается природа особенностей в спектре ЭЭК этих слоев.