Кристаллофизическая модель ионного переноса в нелинейно-оптических кристаллах KTiOPO$_{4}$

Методом импедансной спектроскопии исследована ионная проводимость вдоль главных осей $a$, $b$ и $c$ элементарной ячейки нелинейно-оптических высокоомных монокристаллов KTiOPO$_{4}$ (ромбическая сингония, пространственная группа $Pna2_{1}$), исходных и после термического отжига в вакууме. Кристаллы выращены из раствор-расплава методом Чохральского. Исходные (as grown) кристаллы KTiOPO$_{4}$ обладают квазиодномерной вдоль кристаллографической оси c электропроводностью, обусловленной миграцией катионов K$^{+}$: $\sigma_{\parallel c}$ = 1.0 $\cdot$ 10$^{-5}$ S/cm при 573 K. При этом характеристики анизотропии ионной проводимости кристаллов равны $\sigma_{\parallel c}/\sigma_{\parallel a}$ = 3 и $\sigma_{\parallel c}/\sigma_{\parallel b}$ = 24. Термический отжиг при 1000 K в течение 10 h в вакууме увеличивает величину $\sigma_{\parallel c}$ KTiOPO$_{4}$ в 28 раз и приводит к росту отношения $\sigma_{\parallel c}/\sigma_{\parallel b}$ = 2.1 $\cdot$ 10$^{3}$ при 573 K. Предложена кристаллофизическая модель ионного переноса в кристаллах KTiOPO$_{4}$.