Аннотация:
Методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик исследованы тонкопленочные структуры на основе LiNbO$_{3}$, сформированные различными способами: методом лазерной абляции и методом магнетронного распыления. По вольт-фарадным характеристикам определена величина потенциального барьера на интерфейсе Si–LiNbO$_{3}$ для обоих типов пленок. Анализ вольт-амперных характеристик выявил наличие в исследуемых структурах нескольких механизмов проводимости. В пленке LiNbO$_{3}$, изготовленной методом лазерной абляции, основной вклад в электропроводность дают эффект Пула–Френкеля и токи, ограниченные пространственным зарядом. В пленочной гетероструктуре, изготовленной методом магнетронного распыления, основной механизм – токи, ограниченные пространственным зарядом.