Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения

Приведены результаты экспериментального исследования гальваномагнитных свойств тонких пленок висмута, находящихся под воздействием плоскостной деформации растяжения вследствие меньшего температурного коэффициента расширения материала подложки по сравнению с висмутом. Исследованы удельное сопротивление, магнетосопротивление и коэффициент Холла в интервале температур 5–300 K и магнитном поле до 0.65 T. Рассчитаны концентрации носителей заряда. Обнаружено существенное возрастание концентрации носителей заряда для пленок толщиной меньше 30 nm, что указывает на возможное увеличение роли поверхностных состояний и проявление свойств топологического изолятора в тонких пленках висмута на подложках из слюды.