П. В. Петров, И. А. Кокурин, Ю. Л. Иванов, Г. Э. Цырлин, В. Е. Седов, Н. С. Аверкиев, “Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 2,страницы 333

Эта публикация цитируется в 1 статье

Примесные центры

Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

П. В. Петров^a, И. А. Кокурин^ab, Ю. Л. Иванов^a, Г. Э. Цырлин^cd, В. Е. Седов^a, Н. С. Аверкиев^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Представлено экспериментальное и теоретическое пьезоспектроскопическое исследование A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs легированных бериллием. Экспериментально исследованы спектры линейно поляризованной фотолюминесценции в зависимости от приложенного одноосного давления. Построена модель A$^{+}$-центра в квантовой яме в присутствии одноосной деформации в плоскости квантовой ямы. Получены аналитические выражения для энергии уровней, интенсивностей оптических переходов и поляризационного отношения. В рамках предложенной теории объясняется наблюдаемое в эксперименте изменение поляризационного отношения в зависимости от давления, а также сдвиг максимума линии в коротковолновую сторону.

Поступила в редакцию: 30.06.2017

DOI: 10.21883/FTT.2018.02.45389.212