Люминесценция примесных Ce$^{3+}$ центров в кристаллах KH$_{2}$PO$_{4}$:Ce

Спектры фото-, рентгено- и катодолюминесценции монокристаллов KH$_{2}$PO$_{4}$:Ce содержат неэлементарную полосу излучения с энергией 3.55 eV и временем затухания 27–33 ns. Она сформирована быстрыми излучательными межконфигурационными $d\to f$ переходами между возбужденным и основным состояниями ионов Ce$^{3+}$, причем основное расщеплено кристаллическим полем. В исследованном диапазоне концентраций (0.5–3 $\cdot$ 10$^{-2}$ mass. %) ионы Ce$^{3+}$ входят в кристаллическую решетку KH$_{2}$PO$_{4}$:Ce как ионы замещения. Локальная компенсация заряда реализована дефектами кристаллической структуры, вызывающими люминесценцию с большим стоксовым сдвигом в районе 2.4–2.2 eV. Наличие дефектов водородной подрешетки снижает эффективность транспорта энергии свободными носителями заряда к центрам свечения. Взаимодействие дефектов и примесных центров проявляется как медленное инерционное разгорание выхода стационарной рентгенолюминесценции Ce$^{3+}$ центров.