К. Ю. Арутюнов, J. S. Lehtinen, А. А. Радкевич, А. Г. Семенов, А. Д. Заикин, “Плотность состояний тонких сверхпроводящих каналов в режиме квантовых флуктуаций параметра порядка”, Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 11,страницы 2092

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Сверхпроводимость

Плотность состояний тонких сверхпроводящих каналов в режиме квантовых флуктуаций параметра порядка

К. Ю. Арутюнов^ab, J. S. Lehtinen^c, А. А. Радкевич^de, А. Г. Семенов^de, А. Д. Заикин^df

^a Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Московский институт электроники и математики, Москва, Россия
^b Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
^c VTT Technical Research Centre of Finland Ltd., Centre for Metrology MIKES, Finland
^d Отделение теоретической физики им. И.Е. Тамма, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
^e Московский физико-технический институт, Московская облаcть, г. Долгопрудный
^f Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology, Karlsruhe, Germany

Аннотация: Экспериментально исследовались вольт-амперные характеристики туннельных контактов сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник (С1–И–С2), где сверхпроводящий электрод С2 представлял из себя тонкий нанопровод. Обнаруженное размытие щелевых особенностей интерпретируется как проявление эффекта квантовых флуктуаций параметра порядка. Предложена модель, учитывающая уширение плотности состояний за счет взаимодействия электронов с плазмонной модой Муи–Шёна, возникающей в квазиодномерном сверхпроводящем канале в режиме квантовых флуктуаций параметра порядка. Модель дает разумное качественное согласие с экспериментом.

DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45042.01k