О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 11,страницы 2130

Эта публикация цитируется в 6 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Полупроводники

Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом

О. В. Вихрова^a, Ю. А. Данилов^a, Б. Н. Звонков^a, А. В. Здоровейщев^a, А. В. Кудрин^a, В. П. Лесников^a, А. В. Нежданов^a, С. А. Павлов^b, А. Е. Парафин^ab, И. Ю. Пашенькин^a, С. М. Планкина^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: С целью повышения концентрации электрически-активного Mn в слоях полупроводников A$^{3}$B$^{5}$ : Mn выполнены эксперименты по лазерному отжигу. Использован эксимерный лазер LPX-200 на KrF с длиной волны 248 nm и длительностью импульса $\sim$30 ns. Экспериментально показано, что при энергии импульса эксимерного лазера $>$ 230 mJ/cm$^{2}$ концентрация дырок в слоях GaAs : Mn увеличивается до 3 $\cdot$ 10$^{20}$ cm$^{-3}$. Отрицательное магнетосопротивление и аномальный эффект Холла с петлей гистерезиса для отожженных образцов GaAs : Mn сохраняются вплоть до 80–100 K. Аналогичные изменения в результате лазерного отжига наблюдаются и для слоев InAs : Mn.

DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45049.12k