Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$

Проведено исследование циркулярно-поляризованной люминесценции светоизлучающих структур InGaAs/GaAs с дельта-легированным слоем Mn в GaAs барьере. Выполнено варьирование параметров структур: однородное и дельта-легирование акцепторной примесью, удаление донорного легирования из технологического процесса. Получено, что величина и знак степени циркулярной поляризации люминесценции существенно зависят от выбранного технологического режима. Одномерное моделирование волновых функций структур выявило хорошее согласие между параметрами циркулярно-поляризованной люминесценции и пространственным распределением волновых функций тяжелых дырок относительно дельта-слоя Mn.