А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 11,страницы 2200

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Физика поверхности, тонкие пленки

Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной

А. В. Кудрин^ab, Ю. А. Данилов^ab, В. П. Лесников^a, О. В. Вихрова^a, Д. А. Павлов^b, Ю. В. Усов^b, Е. А. Питиримова^b, И. Н. Антонов^a

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Методом лазерного распыления в вакууме созданы эпитаксиальные гетероструктуры InFeSb/GaAs. Исследования методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и микродифракции показали, что слои InFeSb являются монокристаллическими и не содержат нановключений дополнительной фазы. Исследования магнитотранспортных свойств обнаружили, что в структурах наблюдается аномальный эффект Холла и отрицательное магнетосопротивление вплоть до комнатной температуры.