Физика твердого тела,
2017, том 59, выпуск 11, страницы 2235–2239
(Mi ftt9407)
|
Полупроводники
Бета-индуцированное уменьшение содержания фаз кремния Si-II, Si-XII, Si-III и $\alpha$-Si, образующихся под индентором
А. А. Дмитриевский,
Н. Ю. Ефремова,
Д. Г. Гусева Тамбовский государственный университет им. Г. Р. Державина
Аннотация:
Проведена количественная оценка объемов метастабильных фаз кремния Si-II, Si-XII, Si-III и
$\alpha$-Si в локально деформированной (пирамида Берковича) области необлученных и предварительно облученных монокристаллов Si. Для расчета объемов использованы экспериментальные данные, полученные методами рамановской спектроскопии и
in situ регистрации фазовых превращений кремния Si-I
$\to$ Si-II под индентором. Предварительное облучение кремния бета-частицами от источника
$^{90}$Sr–
$^{90}$Y (флюенс
$F$ = 3.24
$\cdot$ 10
$^{10}$ cm
$^{-2}$, интенсивность
$I$ = 1,8
$\cdot$ 10
$^{5}$ cm
$^{-2}$s
$^{-1}$) вызывает более чем полуторакратное уменьшение объема указанных фаз.
Поступила в редакцию: 03.04.2017
DOI:
10.21883/FTT.2017.11.45067.107
© , 2024