Аннотация:
С целью выяснения причины известной анизотропии магниторезистивных свойств гранулярных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), связанной со взаимной ориентацией магнитного поля $\mathbf{H}$ и транспортного тока $\mathbf{j}$, исследовано поведение гистерезисных зависимостей магнитосопротивления $R(H)$ образца ВТСП иттриевой системы при перпендикулярной $(\mathbf{H}\perp\mathbf{j})$ и параллельной $(\mathbf{H}\parallel\mathbf{j})$ конфигурациях. На основании концепции эффективного поля в межгранульных границах (через которые туннелируют носители сверхпроводящего тока) проведен анализ гистерезисных зависимостей $R(H)$. Величина параметра, характеризующего эффективную степень сжатия магнитного потока в межгранульной среде, для перпендикулярной конфигурации оказалась примерно в 2 раза больше, чем для параллельной. Такой подход хорошо объясняет наблюдаемую многими авторами анизотропию магниторезистивных свойств гранулярных ВТСП (включая и данные по температурным зависимостям сопротивления в области резистивного перехода).