Фотоиндуцированное поглощение терагерцeвого излучения в полуизолирующем кристалле GaAs

Экспериментально изучено влияние оптической подсветки на прохождение терагерцeвого излучения через объемный кристалл полуизолирующего GaAs. Установлено, что без подсветки поглощение электромагнитных волн с частотой порядка 1 THz в исследуемом кристалле практически отсутствует. Оптическая подсветка в области фундаментального поглощения кристалла не влияет на пропускание терагерцевых волн. В то же время при подсветке немного ниже края фундаментального поглощения, т. е. фактически в область прозрачности, пропускание терагерцевого излучения резко падает. При температуре жидкого гелия максимальный эффект достигается при энергии оптических фотонов примерно на 30 meV меньшей ширины запрещенной зоны кристалла. Дальнейшая отстройка подсветки в область меньших энергий сопровождается практически полным восстановлением пропускания. С увеличением температуры образца спектральная область эффективного действия подсветки смещается вместе со сдвигом края фундаментального поглощения в сторону меньших энергий фотонов.